ICP等离子刻蚀与普通等离子蚀刻有什么不同？？？？？
发布网友
发布时间：2022-04-22 04:55
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热心网友
时间：2023-10-04 05:01
ICP是互联*息许可证
ICP证是网站经营的许可证，根据国家《互联网管理办法》规定，经营性网站必须进行ICP证办理，否则就属于非法经营。未取得经营许可或未履行备案手续，擅自从事互联*息服务的，由相关主管部门依法责令限期改正，给予罚款、责令关闭网站等行政处罚；构成犯罪的，依法追究刑事责任。
RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，一种微电子干法腐蚀工艺。
热心网友
时间：2023-10-04 05:01
ICP（Inctively Coupled Plasma）和RIE（Reactive Ion Etching）是两种常见的等离子体刻蚀技术，它们的主要区别在于工作机制和适用范围。
1. 工作机制：
ICP使用线圈状的微波源盘绕在石英窗口上，通过电磁场和电离的气体相互作用，产生等离子体。这些等离子体中的离子在电场作用下轰击样品表面，实现刻蚀。
RIE则是将射频功率加在阴极上，产生负的偏压，使得电离的正离子对放在阴极上的样品进行物理性的轰击。同时，游离到样品表面的一些活性离子也发生化学反应，实现刻蚀。
2. 适用范围：
ICP的离子浓度较高，因此对于一些高刻蚀速率的材料，如磷硅玻璃（PSG）、二氧化硅（SiO2）等特别有效。同时，由于ICP的离子能量较低，对样品的物理伤害也较小，可以得到较为平整的表面。
RIE的离子浓度相对较低，但由于其轰击的速率远大于化学反应的速度，因此对于一些需要保持高刻蚀速率的材料，如多晶硅、氮化硅等特别有效。然而，由于RIE的离子能量较高，对样品的物理伤害也较大，因此刻蚀后的表面通常不太平整。
总的来说，ICP和RIE各有其优点和局限性，具体选择使用哪种技术取决于所需刻蚀的材料、速率以及样品的表面质量要求。
