LED和LD的发光原理，它们有什么不同点？
发布网友
发布时间：2022-04-22 05:39
共4个回答
热心网友
时间：2023-07-16 16:36
1、工作原理
LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。
2、架构
LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。
3、效能
LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。
4、寿命
LD由于采用金属封装和专用电源，可以通过先进的半导体温控技术，达到完美的温度控制，使得产品始终在设定的合理温度下工作，寿命能够很好的得到保证。
ED产品由于采用灌胶封装以及LED灯需要组装大量LED管，所以发热量大，而且这种发热直接影响到产品寿命，使得LED产品在使用一段时间后出现严重的光衰现象，直接影响产品使用效果，甚至产品报废。
5、成本
普通单个LD的价格高于同级别的LED大约20倍左右。
参考资料来源：百度百科—LED
参考资料来源：百度百科—LD
热心网友
时间：2023-07-16 16:36
LED与LD的区别:
照明距离：单一的LED输出光功率一般为5～15mW，现在虽然有40～50mW的LED产品问世，但是依然无法和半导体激光管（LD）相比，现在单芯的半导体激光管的发光功率可达10W，一个激光管的亮度等于几百个LED的亮度总和。故相对很小的激光产品可以达到很大的照射距离，大大的改善照射效果，提高清晰度。
2.体积：红外激光照明器采用单一芯片的半导体激光管作为发光介质，所以体积可以做的很小，同时有满足亮度的要求。
3.寿命：半导体激光管和LED都属于半导体发光产品，半导体产品的寿命很大程度受制于对产品散热的处理。激光照明器由于采用金属封装和专用电源，可以通过先进的半导体温控技术，达到完美的温度控制，使得产品始终在设定的合理温度下工作，寿命能够很好的得到保证。而LED产品由于采用灌胶封装以及LED灯需要组装大量LED管，所以发热量大，而且这种发热直接影响到产品寿命，使得LED产品在使用一段时间后出现严重的光衰现象，直接影响产品使用效果，甚至产品报废。
4.红曝影响：近红外的半导体发光产品都存在红曝问题，这是有半导体发光机制所决定的。但是由于红外激光照明器采用单一芯片发光，使得红曝的存在只有一个很小的发光点，在远距离照明中甚至可以忽略。而LED灯由许多LED管组装而成，出现红曝后，会使产品的整个面板发生红曝现象，不利于红外灯的隐蔽。
5.成本：目前，普通单个LD的价格高于同级别的LED大约20倍左右。成本的差异主要是由于产品的生产量来决定，LED由于封装简单，应用量巨大，所以可以大规模的生产，从而大大降低了产品成本；随着激光应用技术的不断发展，半导体激光管的产量这些年来也成几何倍数的增加，产品的成本已经降到可以被普通用户承受的阶段，而且成本的降低还在进行，最终激光管的生产成本可以达到目前LED的水平。
6.由于半导体激光管的工作条件要求高，所以对每一个激光管的品质要求都大大的高于LED，所以红外激光照明器核心部件的品质从一开始就有严格的要求，质量控制的高要求使得最终产品的性能和质量都有所保证。
热心网友
时间：2023-07-16 16:37
1、性质不同：LD包括单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。发光二极管由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。
2、照明距离不同：单一的LED输出光功率一般为5～15mW，虽然有40～50mW的LED产品问世，但是依然无法和半导体激光管（LD）相比，现在单芯的半导体激光管的发光功率可达10W，一个激光管的亮度等于几百个LED的亮度总和。
3、工作原理不同：LD当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。LED加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。
扩展资料：
注意事项：
1、要注意温度的升高会使LED内阻变小当外界环境温度升高后，LED光源内阻会减小，若使用稳压电源供电会造成LED工作电流升高，当超过其额定工作电流后，会影响LED产品的使用寿命，严重的将使LED光源烧坏，因此最好选用恒流源供电，以保证LED的工作电流不受外界温度的影响。
2、LED的电流不能超过LED的IF电流：过流的工作会使LED寿命很快下降，如果超出过来，就会马上把LED烧坏。
3、LED折角须注意：LED在弯角或折角时请不要离胶体太近，应与胶体保持2mm以上的距离，否则会使LED胶体里面支架与金线分离，弯角在同一处的折叠次数不能超过三次，拐角弯成90°，再回到原位置为1次。
参考资料来源：百度百科-LD
参考资料来源：百度百科-LED
热心网友
时间：2023-07-16 16:38
（1）半导体激光器比LED的相应速度快得多，原因是LED上升时间主要取决于材料的固有自发辐射的寿命，而半导体激光器的上升时间则取决于受激辐射寿命
（2）LD的典型线宽是1nm~5nm，比LED的输出谱宽要小很多
（3）LD产生非对称辐射，LD的辐射角度范围远小于LED，使得光更容易和光纤耦合，而且耦合效率更高
（4）LED发射非相干光，LD发射相干光
