维普资讯 http://www.cqvip.com 第２７卷第３期 半导体学报 Ｖｏ１．２７ Ｎｏ．３ Ｍａｒ．．２００６ ２００６年３月 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＥＭＩＣ０ＮＤＵＣＴ０ｌＲＳ １．３ＩＪＬｍ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ Ｓｅｌｆ－Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ Ｇｒｏｗｎｂｙ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ ．Ｎｉｕ Ｚｈｉｃｈｕａｎ ，Ｎｉ Ｈａｉｑｉａ０，Ｆａｎｇ Ｚｈｉｄａｎ，Ｇｏｎｇ Ｚｈｅｎｇ，Ｚｈａｎｇ Ｓｈｉｙ０ｎｇ，Ｗｕ Ｄ０ｎｇｈａｉ， Ｓｕｎ Ｚｈｅｎｇ，Ｚｈａ０ Ｈｕａｎ，Ｐｅｎｇ Ｈ０ｎｇｌｉｎｇ，Ｈａｎ Ｑｉｎ，ａｎｄ Ｗｕ Ｒ０ｎｇｈａｎ （Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００８３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｍｕｌｔｉ １ａｙｅｒ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ（ＱＤｓ）ｂｙ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ（ＭＢＥ）ｉｓ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ，ａｎｄ ａ ＱＤ ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ ｌａｓｉｎｇ ａｔ ｌ＿３３“ｍ ｉｎ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｍｏｄｅ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍ－ ｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｓ ｒｅｐｏｒｔｅｄ．Ｔｈｅ ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ ｏｆ ｔｈｅ ｂａｎｄ ｅｄｇｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｐｅａｋｓ ｏｆ ｔｈｅ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ （ＰＬ）ｓｐｅｃｔｒａ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｓ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ３５ｍｅＶ ｆｏｒ ｍｏｓｔ ｏｆ ｔｈｅ ｍｕｌｔｉ．１ａｙｅｒ ＱＤ ｓａｍｐｌｅｓ，ｒｅｖｅａｌｉｎｇ ｇｏｏｄ。ｒｅ－ ｐｒｏｄｕｃｉｂｌｅ ＭＢＥ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ．Ｍｏｒｅｏｖｅｒ，ａｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ｉｍａｇｅｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ＱＤ ｓｕｒｆａｃｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｃａｎ ｂｅ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｒａｎｇｅ ｆｒｏｍ １ ｘ １０ ０ ｔｏ ７ ｘ １０ ０ ｃｍ ．Ｔｈｅ ｂｅｓｔ ＰＬ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｒｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ ａｔ ａ ＱＤ ｓｕｒｆａｃｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ａｂｏｕｔ ４ ｘ １０ 。ｃｍ ．Ｅｄｇｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｓｅｒｓ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ３ ａｎｄ ５ ｓｔａｃｋｅｄ ＱＤ ｌａｙｅｒｓ ａｓ ｔｈｅ ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ ｌａｓｉｎｇ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｎ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｍｏｄｅ ａｒｅ ｒｅｐｏｒｔｅｄ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ；ＩｎＡｓ；ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ ＰＡＣＣ；７３２０Ｄ；７２８０Ｅ；７８２０ ＣＬＣ ｎｕｍｂｅｒ！ＴＮ３０４．０５４ Ｄｏｃｕｍｅｎｔ ｃｏｄｅ：Ａ Ａｒｔｉｃｌｅ ＩＤ：０２５３－４１７７（２００６）０３－０４８２－０７ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｃａｎ ｂｅ ｔｕｎｅｄ ｉｎ ｔｈｅ １．１～１．７“ｍ ｒｅｇｉｏｎ １ Ｉｎｔｒ０ｄｕｃｔｉｏｎ ｂｙ ｖａｒｙｉｎｇ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ 。。．Ｍａｎｙ ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ＩｎＡｓ ＱＤ ｌａｓｅｒｓ ｗｉｔｈ ｌｏｗ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ＩｎＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ（ＱＤｓ）ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｉｎｔｅｎ— ｄｅｎｓｉｔｙ ａｎｄ ｈｉｇｈ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｈａｖｅ ｓｉｖｅｌｙ ｓｔｕｄｉｅｄ ｉｎ ｒｅｃｅｎｔ ｙｅａｒｓ ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｔｈｅｉｒ ｂｅｅｎ ｒｅｐｏｒｔｅｄＥｌ ． ｐｒｏｍｉｓｉｎｇ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｉｎ １．３“ｍ ＱＤ ｌａｓｅｒｓ ｆｏｒ ｆｉ— Ａｌｔｈｏｕｇｈ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｓ ｉｎ ｔｈｅ ｂｅｒ—ｏｐｔｉｃ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍｓ．ＩｎＡｓ ＱＤ ｌａｓｅｒｓ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ＩｎＡｓ Ｑ・Ｄｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ａｃｈｉｅｖｅｄ，ｏｐｔｉｃａｌ ａｒｅ ｅｘｐｅｃｔｅｄ ｔｏ ｈａｖｅ ｓｕｐｅｒｉｏｒ ｌａｓｉｎｇ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ， ｇａｉｎ ｉｓ ｓｔｉｌｌ ｌｉｍｉｔｅｄ ｂｙ ｒｅｌａｔｉｖｅｌｙ ｌｏｗ ｄｏｔ ｄｅｎｓｉｔｙ． ｓｕｃｈ ａｓ ａ ｌｏｗ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ ａｎｄ ａ ｈｉｇｈ ｗｈｉｃｈ ｍａｋｅｓ ＩｎＡｓ ＱＤ ｌａｓｅｒｓ ｈａｒｄ ｔｏ ｌａｓｅ ａｔ ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｔｈｅｉｒ ｄｅｌｔａ— ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ．Ｔｈｅｒｅ ａｒｅ ｔｗｏ ｍａｉｎ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｗａｙｓ ｆｕｎｃｔｉｏｎ—ｌｉｋｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｓｔａｔｅｓＬ¨．Ｔｈｕｓ．ｔｈｅｙ ａｒｅ ａ ｔｏ ｏｖｅｒｃｏｍｅ ｔｈｉｓ ｐｒｏｂｌｅｍ：ｏｎｅ ｉｓ ｔｏ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ｐｒｏｍｉｓｉｎｇ ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅ ｔｏ ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ ＩｎＧａＡｓＰ— ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｂｙ ｏｐｔｉｍｉｓｉｎｇ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ， ｂａｓｅｄ ｌａｓｅｒｓ，ｗｈｉｃｈ ｈａｖｅ ｐｏｏｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｈａｒａｃ— ａｎｄ ｔｈｅ ｏｔｈｅｒ ｉｓ ｔｏ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｎｕｍｂｅｒ ｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｉｎｓｕｆｆｉｃｉｅｎｔ ｃａｒｒｉｅｒ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＱＤｓ ｂｙ ｕｓｉｎｇ ｍｕｌｔｉ—ｌａｙｅｒ ＱＤ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ．Ｔｈｅ ｉｎ ｔｈｅｉｒ ｑ ｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌｓ．Ｉｎ ａｄｄｉｔｉｏｎ，ｕｓｉｎｇ ＧａＡｓ ＩｎＡｓ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ ｔｏ ａｂｏｕｔ １ ｘ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｆｏｒ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｗｏｕｌｄ ｍａｋｅ ｉｔ ｐｏｓｓｉｂｌｅ １０ ０～１ ｘ １０ｎ ｃｍ一 ｂｖ ｖａｒｙｉｎｇ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉ． ｔｏ ｕｓｅ ＡｌＧａＡｓ ａｌｌｏｙｓ ａｓ ｃｌａｄｄｉｎｇ ａｎｄ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｔｉｏｎｓ［ ～ ’ ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ａｔ ａ ｈｉｇｈ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ，ｔｈｅ ｌａｙｅｒｓ ａｎｄ ｆａｂｒｉｃａｔｅ ａｎ ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓ Ｂｒａ ｇ ｒｅ ＱＤ ｓｉｚｅ ｉｓ ｓｍａｌｌ，ａｎｄ ｔｈｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｆｌｅｃｔｏｒ ｉｎ ａ ｓｉｎｇｌｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｔ ｌｏｗ ｃｏｓｔ． ｔｅｎｄｓ ｔｏ ｂｅ ｓｈｏｒｔＣ ～ Ⅲ］．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ．ｗｅ ｐｒｅｓｅｎｔ ａ Ｉｎ ｔｈｅ ｐａｓｔ ｆｅｗ ｙｅａｒｓ，ｍｕｃｈ ｗｏｒｋ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｄｅｔａｉｌｅｄ ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｏｆ ＩｎＡｓ ｄｏｎｅ ｔｏ ｉｍｐｒｏｖｅ ａｎｄ ｅｘｐｌｏｉｔ ｔｈｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｅｌｆ－ ＱＤｓ ｂｙ ＭＢＥ．Ｒｅｌａｔｉｖｅｌｙ ｌｏｎｇ ｅｍｉｔ ｔｉｎｇ ｗａｖｅ－ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｌｅｎｇｔｈｓ ｏｆ １．３３～１．３５ ｍ ｗｉｔｈ ａ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｕｐ ｅｐｉｔａｘｙ（ＭＢＥ）［ ～ ．Ｔｈｅ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｏｆ ｔｏ ４ ｘ １０ ０ｃｍ～ａｒｅ ａｃｈｉｅｖｅｄ． ＊Ｐｒｏｊｅｃｔ ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｎａｔｕｒａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｈｉｎａ。ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｈｉｇｈ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｐｒｏｇｒａｍ ｏｆ Ｃｈｉｎａ，ａｎｄ ｔｈｅ Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｐｒｏｇｒａｍ ｆｏｒ Ｂａｓｉｃ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｆ Ｃｈｉｎａ ｔ Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ａｕｔｈｏｒ．Ｅｍａｉｌ：ｚｃｎｉｕ＠ｒｅｄ．ｓｅｍｉ．ａｃ．ｃｎ Ｒｅｃｅｉｖｅｄ ３１ Ｏｃｔｏｂｅｒ ２００５，ｒｅｖｉｓｅｄ ｍａｎｕｓｃｒｉｐｔ ｒｅｃｅｉｖｅｄ ９ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２００５ ＠２００６ Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ 维普资讯 http://www.cqvip.com 第３期 Ｎｉｕ Ｚｈｉｃｈｕａｎ ｅｔ ａ１．：１．３ｇｍ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ Ｓｅｌｆ－Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ Ｇｒｏｗｎ…４８３ Ｍｕｌｔｉ—ｌａｙｅｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｒｅ ｕｓｕａｌｌｙ ａｄｏｐｔｅｄ ｔｏ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｇａｉｎ ｆｏｒ ＱＤ ｌａｓｅｒ ｄｅｖｉｃｅｓ［ 卜 引． Ｈｏｗｅｖｅｒ．ｔｈｅ ｃｏｕｐｌｅｄ ＱＤｓ ｉｎ ｔｈｅ ｍｕｌｔｉ．１ａｙｅｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｒｅ ｕｓｕａｌｌｙ ｈｉｇｈｌｙ ｓｔｒａｉｎｅｄ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｗｏｒｋ，ｔｈｉｃｋ ＧａＡｓ ｓｐａｃｅｒ ｌａｙｅｒｓ ｕｐ ｔｏ ５０ｎｍ ｂｅ— ｔｗｅｅｎ ｔｈｅ ＱＤ ｌａｙｅｒｓ ａｒｅ ａｄｏｐｔｅｄ．Ｗｅ ａｌｓｏ ｔａｋｅ ａｎ ｉｎ ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ｓｐａｃｅｒ ｌａｙｅｒｓ ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ ｄｅｆｅｃｔｓ ｉｎｄｕｃｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｓｔｒｅｓｓ．Ｉｎ ａｄｄｉｔｉｏｎ，ｗｅ ｈａｖｅ ｆｏｃｕｓｅｄ ｅｘｔｅｎ— ｓｉｖｅｌｙ ｏｎ ｒｅｄｕｃｉｎｇ ｔｈｅ ｄｅｆｅｃｔｓ ｉｎｓｉｄｅ ｔｈｅ ＱＤｓ ａｎｄ ｎａｒｒｏｗｉｎｇ ｔｈｅ ｄｏｔ ｓｉｚｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｗｈｉｌｅ ｋｅｅｐｉｎｇ ｔｈｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｈｉｇｈ．Ｔｈｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｉｓ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ，ａｎｄ ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｒｅ ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｂｙ ｏｐｔｉｍｉｓｉｎｇ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ．ＩｎＧａＡｓ ｃａｐ ｌａｙ－ ｅｒｓ ａｒｅ ｅｍｐｌｏｙｅｄ ｔｏ ｅｘｔｅｎｄ ｔｈｅ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｏｆ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｔｏ １．３５“ｍ．Ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ＩｎＡｓ ＱＤ ｅｄｇｅ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｓｅｒｓ ｌａｓｉｎｇ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｎ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｍｏｄｅ ａｒｅ ｒｅｐｏｒｔｅｄ． ２ Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ Ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｗｅｒｅ ｇｒｏｗｎ ｏｎ（００１）ＧａＡｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｉｎ ａ Ｖｅｅｃｏ Ｍｏｄ ＧｅｎⅡＭＢＥ ｓｙｓｔｅｍ ｅ． ｑｕｉｐｐｅｄ ｗｉｔｈ ａ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｈｉｇｈ－－ｅｎｅｒｇｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎ—－ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＲＨＥＥＤ）ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ．Ｔｈｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｃｏｎｔａｉｎ ａ ３００ｎｍ ＧａＡｓ ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ，ａ ＱＤ ａｃｔｉｖｅ ｒｅｇｉｏｎ，ａ ５０ｎｍ ＧａＡｓ ｃａｐｐｉｎｇ ｌａｙｅｒ，ａｎｄ ａ ＱＤ ｌａｙｅｒ ｏｎ ｔｏｐ。ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｆｏｒ ａｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉ－ ｃｒｏｓｃｏｐｙ（ＡＦＭ）ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ．Ｔｈｅ ＱＤ ａｃｔｉｖｅ ｒｅ－ ｇｉｏｎ ｗａｓ ｆｏｒｍｅｄ ｂｙ ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ １．８～３．５ ｍｏｎｏ— ｌａｙｅｒ（ＭＬ）ＩｎＡｓ ｆｏｌｌｏｗｅｄ ｂｙ ａ ｔｈｉｎ ＩｎＧａＡｓ ＣＯＶ— ｅｒｉｎｇ ｌａｙｅｒ．Ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｗｅｒｅ ｆｏｒｍｅｄ ｕｎｄｅｒ ａ ｒｅｐｅａｔｅｄ ｇｒｏｗｔｈ ｓｅｑｕｅｎｃｅ ｏｆ ａ ０．１～０．１５ＭＬ ＩｎＡｓ ｇｒｏｗｔｈ（１～５ｓ）ａｎｄ ａ ５ｓ Ａｓ ｅｘｐｏｓｕｒｅ，ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｋｎｏｗｎ ａｓ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ ｇｒｏｗｔｈ ｍｏｄｅ．Ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ ｗａｓ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｏ ｒｅａｃｈ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ ａｔ ｔｈｅ ｄｅｓｉｒｅｄ ＱＤ ｇｒｏｗｔｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｔｅｍ－ ｐｅｒａｔｕｒｅｓ ｗｅｒｅ ５８０℃ｆｏｒ ｔｈｅ ｂｕｆｆｅｒ ａｎｄ ４６０～ ５１０℃ｆｏｒ ｔｈｅ ＱＤｓ ａｎｄ ｃｏｖｅｒｉｎｇ ｌａｙｅｒｓ．Ａ ｖａｌｖｅｄ Ａｓ ｃｒａｃｋｅｒ ｃｅｌｌ ｗａｓ ｕｓｅｄ ｔｏ ｓｕｐｐｌｙ ｔｈｅ Ａｓ２ ｂｅａｍ． Ｔｈｅ Ａｓ／ⅢＢＥＰ ｒａｔｉｏ ｆｏｒ ａｌｌ ｔｈｅ ｌａｙｅｒｓ ｗａｓ ｋｅｐｔ ｂｅｔｗｅｅｎ １５ ａｎｄ ２０．Ｔｈｅ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ＩｎＡｓ ｇｒｏｗｔｈ ｍｏｄｅ ｆｒｏｍ ｔｗｏ ｔｏ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ ｗａｓ ｃｈｅｃｋｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ＲＨＥＥＤ． Ｆｏｒ ｌａｓｅｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，ｔｈｅ ＱＤ ａｃｔｉｖｅ ｒｅｇｉｏｎ ｉｓ ｇｒｏｗｎ ａｔ ｔｈｅ ｃｅｎｔｅｒ ｏｆ ａｎ ｕｎｄｏｐｅｄ ＧａＡｓ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｗｉｔｈ ｎ－ｔｙｐｅ ｌｏｗｅｒ ａｎｄ Ｐ－ｔｙｐｅ ｕｐｐｅｒ ｃｌａｄｄｉｎｇ ｌａｙｅｒｓ ｏｆ Ａｌ０ ５Ｇａ０ ５Ａｓ．Ｔｈｅ Ｂｅ ａｎｄ Ｓｉ ｄｏ— ｐｉｎｇ ｌｅｖｅｌ ｉｎ ｔｈｅ ｎ－－ａｎｄ Ｐ－－ｔｙｐｅ ｃｌａｄｄｉｎｇ ｌａｙｅｒｓ ｉｓ ２ ｘ １０ 。ｃｍ～．Ｄｅｖｉｃｅ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｂｅｇｉｎｓ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ２０ｕｍ ｒｉｄｇｅｓ ｗｉｔｈ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈ— ｉｎｇ ｆｏｌｌｏｗｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｐｌａｓｍａ．．ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａ１．．ｖａ．． ｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ａ ｔｈｉｎ ＳｉＯ２ ｌａｙｅｒ．Ｔｈｅ ＳｉＯ２ ｌａｙｅｒ ａｂｏｖｅ ｔｈｅ ｒｉｄｇｅ ｉｓ ｐｌａｓｍａ．ｅｔｃｈｅｄ ｔｏ ｅｎａｂｌｅ ｅｌｅｃｔｒｉ— ｃａｌ ｃｏｎｔａｃｔ．Ｔｈｅ ＣｒＡｕ Ｐ—ｔｙｐｅ ｃｏｎｔａｃｔｓ ａｒｅ ｅ．ｂｅａｍ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ．Ｆｉｎａｌｌｙ，Ａｕ．Ｇｅ—Ｎｉ ｎ—ｔｙｐｅ ｃｏｎｔａｃｔｓ ａｒｅ ｅ．ｂｅａｍ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ａｆｔｅｒ ｔｈｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｌａｐｐｅｄ ｄｏｗｎ ｔｏ ａ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｏｆ ａｂｏｕｔ １２５ｐｍ．Ｔｈｅ ｗａｆｅｒ ｉｓ ｔｈｅｎ ｃｌｅａｖｅｄ ｉｎｔｏ ｌａｓｅｒ ｂａｒｓ ｗｉｔｈ ａ ｃａｖｉｔｙ ｌｅｎｇｔｈ ｏｆ ３ｍｍ，ｗｉｔｈｏｕｔ ｆａｃｅｔ ｃｏａｔｉｎｇ． Ｔｈｅ ｖａｒｉａｂｌｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ＰＬ ｓｐｅｃｔｒａ ｗｅｒｅ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ６３２．８ｎｍ ｌｉｎｅ ｏｆ ａ Ｈｅ—Ｎｅ ｌａｓｅｒ ａｎｄ ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ ｕｓｉｎｇ ａ Ｎｉｃｏｌｅｔ ＦＴＩ Ｒ７６０ Ｆｏｕｒｉｅｒ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ．Ｔｈｅ ｓｉｇｎａｌ ｗａｓ ｃｏｌｌｅｃｔｅｄ ｕｓｉｎｇ ａ ｃｏｏｌｅｄ Ｇｅ ｄｅｔｅｃｔｏｒ．Ｔｈｅ ＡＦＭ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ ｗｅｒｅ ｃａｒｒｉｅｄ ｏｕｔ ｔｏ ｓｔｕｄｙ ｔｈｅ ＱＤ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｕｓｉｎｇ ａ ＮａｎｏＳｃａｐｅⅢａ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｉｎ ｃｏｎｔａｃｔ ｍｏｄｅ． ３ Ｒｅｓｕｌｔｓ ａｎｄ ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ ３．１ ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ ｔｈｅ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｏｆ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ Ｔｈｅ ＡＦＭ ｉｍａｇｅｓ ｏｆ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，ａｎｄ １Ｆ ａｒｅ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．１． Ｔｈｅ ＱＤｓ ｗｅｒｅ ｆｏｒｍｅｄ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ ｍｏｄｅ ａｔ ４８０℃．Ｔｈｅ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ａｍｏｕｎｔｓ ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ～１Ｆ ｗｅｒｅ １．８。２．２，２．５，３．０，３．０，ａｎｄ ２．２ＭＬ。ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ ｗａｓ ０．１ＭＬ／ｓ ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，ａｎｄ １Ｆ ａｎｄ Ｏ．１５ＭＬ／ｓ ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅ １Ｅ．Ｔｈｅ ｌｎＡｓ ＱＤｓ ｗｅｒｅ ｆｏｒｍｅｄ ｕｎｄｅｒ ａ ｒｅｐｅａｔｅｄ ｇｒｏｗｔｈ ｓｅｑｕｅｎｃｅ ｏｆ ａ Ｏ．１ＭＬ ＩｎＡｓ ｇｒｏｗｔｈ（１ｓ）ａｎｄ ａ ５ｓ Ａｓ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ～１Ｅ ａｎｄ ａ ｓｅｑｕｅｎｃｅ ｏｆ ａ ０．５ＭＬ ＩｎＡｓ ｇｒｏｗｔｈ（５ｓ）ａｎｄ ａ ５ｓ Ａｓ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅ １Ｆ．Ｆｏｒ ａｌｌ ｓａｍｐｌｅｓ．ｗｈｅｎ １．８～２．０ＭＬ ｗａｓ ｄｅｐｏ— ｓｉｔｅｄ，ｔｈｅ ＲＨＥＥＤ ｐａｔｔｅｒｎ ｃｈａｎｇｅｄ ｆｒｏｍ ｓｔｒｅａｋｙ ｔｏ ｓｐｏｔｔｙ—ｉｎｄｉｃａｔｉｎｇ ｔｈａｔ ｌｎＡｓ ｇｒｏｗｓ ｉｎ ａ ３Ｄ ｍｏｄｅ．Ｆｒｏｍ ｔｈｅ ＡＦＭ ｉｍａｇｅｓ，ｉｔ ｉｓ ｃｌｅａｒ ｔｈａｔ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ ｇｒａｄｕａｌｌｙ ｔｏ ａ ｍａｘｉｍｕｍ ａｓ ｔｈｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ．Ｂｕｔ ｆｕｒ— ｔｈｅｒ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｃｏｕｌｄ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ．Ｆｏｒ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅ １Ａ，ｔｈｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｌｉｅｓ ｉｕｓｔ ａｔ ｔｈｅ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｆｏｒ ｄｏｔ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ．Ｉｔｓ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｓ ｏｎｌｙ ７．Ｉ ｘ １００ ｃｍ ．Ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ ｔｏ ａｂｏｕｔ ４．２ ｘ １０ ０ ｃｍ一 ｗｈｅｎ ｔｈｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｉｎ— 维普资讯 http://www.cqvip.com ４８４ 半导体学报 第２７卷 Ｆｉｇ．１ ＡＦＭ ｉｍａｇｅｓ（ａ）～（ｆ）ｏｆ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ～１Ｆ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ＭＢＥ ｏｎ ＧａＡｓ（００１）ｓｕｂｓｔｒａｔｅ （１ ｍ×１ ｍ ａｒｅａ ｆｏｒ ａｌｌ ｉｍａｇｅｓ） ｃｒｅａｓｅｓ ｔｏ ２．５ＭＬ．Ｔｈｉｓ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｓ ｆａｖｏｒａｂｌｅ ｆｏｒ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｔｈｅ ｇａｉｎ ｔｏ ｍａｋｅ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤ ｌａ— ｓｅｒｓ ｌａｓｅ ａｔ ｔｈｅ ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ．Ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ＱＤ ｄｉ． ａｍｅｔｅｒ ａｎｄ ｔｈｅ ｈｅｉｇｈｔ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ，１Ｂ。ａｎｄ １Ｃ ａｒｅ ｓｉｍｉｌａｒ，ａｂｏｕｔ ４５ ａｎｄ ４．５ｎｍ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅｉｒ ＯＤｓ ｓｉｚｅ ｉｓ ｎａｒｒｏｗ．Ｂｕｔ ｔｈｅ ＱＤｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｄ ａｒｅ ｏｆ ｂｉｍｏｄａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ． Ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ｌａｔｅｒａｌ ｄｉａｍｅｔｅｒ ｏｆ ｔｈｅ ｌａｒｇｅ ＱｌＤｓ ｉｓ ａｂｏｕｔ ５１．３ｎｍ，ａｎｄ ｔｈｅ ｈｅｉｇｈｔ ｉｓ ａｂｏｕｔ １０ｎｍ．Ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ｌａｔｅｒａｌ ｄｉａｍｅｔｅｒ ｏｆ ｔｈｅ ｓｍａｌｌ ＱＤｓ ｉｓ ａｂｏｕｔ ２５ｎｍ，ａｎｄ ｔｈｅ ｈｅｉｇｈｔ ｉｓ ａｂｏｕｔ ５ｎｍ．Ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ，１Ｂ，ａｎｄ １Ｃ，ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ ｗｉｔｈ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｗｈｉｌｅ ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ＱＤ ｓｉｚｅ ａｃｔｕａ１． ＩＹ ｒｅｍａｉｎｓ ｃｏｎｓｔａｎｔ．Ｔｈｉｓ ｉｓ ａ ｌｉｔｔｌｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ ｏｂｓｅｒｖｅｄ ｂｙ ＬｅｏｎａｒｄＬ ‘ ａｎｄ ＫｏｂａｙａｓｈｉＬ 引，ｉｎ ｗｈｉｃｈ ｗｉｔｈ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ＱＤ ｓｉｚｅ ｄｅｃｒｅａｓｅｓ ｗｈｉｌｅ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ，ｗｈｉｃｈ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｅｘｐｌａｉｎｅｄ ｉｎ ｔｅｒｍｓ ｏｆ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ ｂｅｔｗｅｅｎ ＱＤｓ ａｎｄ ａｎ ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ ｂａｒｒｉｅｒ ａｒｏｕｎｄ ｔｈｅ ＱＤ ｅｄｇｅｓ．Ｔｈｅ ｅｘｐｌａｎａｔｉｏｎ ｆｏｒ ｏｕｒ ｃａｓｅ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｈｅ ＱＤｓ ａｎｄ ｔｈｅ ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ ｂａｒｒｉｅｒ ａｒｏｕｎｄ ｔｈｅ ＱＤ ｅｄｇｅｓ ｐｒｅｖｅｎｔｓ ｔｈｅ ＱＤｓ ｆｒｏｍ ｇｒｏｗｉｎｇ ｕｐ ｂｕｔ ｉｓ ｎｏｔ ｓｔｒｏｎｇ ｅｎｏｕｇｈ ｔｏ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ＱＤ ｓｉｚｅ．Ａｓ ｍｏｒｅ ＩｎＡｓ ｉｓ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ，ｔｈｅ ｓｉｚｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ＱＤｓ ｅｖｏｌｖｅｓ ｉｎｔｏ ａ ｂｉｍｏｄａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｗｈｉｌｅ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｄｅｃｒｅａｓｅｓ，ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｊｕｓｔ ｔｈｅ ｃａｓｅ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｄ．Ｔｈｅ ｒｅａｓｏｎ ｆｏｒ ｔｈｉｓ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｎｅｉｇｈ． ｂｏｕｒｉｎｇ ＱＤｓ ｂｅｇｉｎ ｔｏ ｃｏａｌｅｓｃｅ ｔｏ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ａｓ ｍｏｒｅ ＩｎＡｓ ｉｓ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ．Ａｓ ａ ｃｏｎｓｅ． ｑｕｅｎｃｅ，ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｔｈｅ ＱＤ ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ ｉｓ ｒｅ． ｄｕｃｅｄ，ｒｅｓｕｌｔｉｎｇ ｉｎ ａｎ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｉｎ ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ｓｉｚｅ ｏｆ ｅｘｉｓｔｉｎｇ ｔｈｅ ＱＤｓ ａｎｄ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｎｅｗ，ｓｍａｌｌ ＱＤｓ．Ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｉｓ ｂｉｍｏｄａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｉｎｄｉｃａｔｅｓ ｔｈｅ ｃｏｅｘｉｓｔｅｎｃｅ ｏｆ ｔｗｏ ｍｅｔａｓｔａｂｌｅ ｓｔａｔｅｓ ａｎｄ ｓｔｒｏｎｇｌｙ ｓｕｐｐｏｒｔｓ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ ｎａｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｇｒｏｗｔｈＥ ．Ｍａｌａｃｈｉａｓ ｈａｓ ｓｈｏｗｎ ｕｓｉｎｇ Ｘ．ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｓｍａｌｌ ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｒｅ ｃｏｈｅｒｅｎｔ（ｓｔｒａｉｎｅｄ）ａｎｄ ｔｈｅ ｌａｒｇｅ ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｒｅ ｉｎｃｏｈｅｒｅｎｔ（ｒｅｌａｘｅｄ）［１９３． Ｓｉｎｃｅ ｔｈｅ ｂｉｍｏｄａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ａｎｄ ｉｎｃｏｈｅｒｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｒｅ ｎｏｔ ｆａｖｏｕｒａｂｌｅ ｆｏｒ ＱＤ ｌａｓｅｒｓ，ｔｈｅｙ ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｒｅｓｔｒａｉｎｅｄ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ． Ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｅ ａｒｅ ｓｉｍｉ． １ａｒ ｔｏ １Ｄ ｅｘｃｅｐｔ ｆｏｒ ａ ｈｉｇｈｅｒ ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ ｏｆ ０．１５ＭＬ／ｓ．Ｉｎ ｔｈｅ ＡＦＭ ｉｍａｇｅ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｅ，ｔｈｅ ｂｉｍｏｄａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｉｓ ｎｏｔ ｏｂｖｉｏｕｓ．Ｔｈｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｓｍａｌｌ ＱｌＤｓ ｉｓ ｌｏｗ ａｎｄ ｔｈｅ ｓｉｚｅ ｏｆ ｔｈｅ ｌａｒｇｅ ＱＤｓ ｉｓ ｓｍａｌｌ ｃｏｍｐａｒｅｄ ｔｏ ｓａｍｐｌｅ １Ｄ．Ｔｈｉｓ ｍｅａｎｓ ｔｈａｔ ａ ｈｉｇｈ ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ ｃｏｕｌｄ ｒｅｓｔｒａｉｎ ｔｈｅ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｂｉｍｏｄａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ．Ａ ｈｉｇｈ ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ ｃｏｕｌｄ ａｌｓｏ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ．Ａｓ ａ ｃｏｎｓｅｑｕｅｎｃｅ， ｔｈｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅ １Ｅ ｉｓ ｎｏｔ ｅｎｏｕｇｈ ｆｏｒ ｔｈｅ ｎｅｉｇｈｂｏｕｒｉｎｇ ＱＤｓ ｔｏ ｃｏａｌｅｓｃｅ ａｓ ｉｎ ｓａｍｐｌｅ １Ｄ． Ｔｈｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｅｒ ｐｕｌｓｅ ｉｎ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ ｍｏｄｅ ａｌｓｏ ａｆｆｅｃｔｓ ｔｈｅ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｏｆ ｔｈｅ ＱＤｓ．Ｓａｍｐｌｅ １Ｆ ｗａｓ ｇｒｏｗｎ ｉｎ ａ ｓｅｑｕｅｎｃｅ ｏｆ ａ ０．５ＭＬ ＩｎＡｓ ｇｒｏｗｔｈ（５ｓ）ａｎｄ ａ ５ｓ Ａｓ ｅｘｐｏｓｕｒｅ． Ｉｔｓ ｏｔｈｅｒ ｇｒｏｗｔｈ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ａｒｅ ｔｈｅ ｓａｍｅ ａｓ ｔｈａｔ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｂ．Ｆｔｏｍ ＡＦＭ ｉｍａｇｅｓ．ｉｔ ｉｓ ｃｌｅａｒ ｔｈａｔ ｉｔｓ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ，２．５９×１０１０ｃｍ～。ｉｓ ａ ｌｉｇｈｔｌｙ ｈｉｇｈｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｂ．ｗｈｉｃｈ ｉｓ ２．１５×１０ ０ｃｍ～． Ａｎｏｔｈｅｒ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｇｒｏｗｔｈ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｆｏｒ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｉｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｉｔ ｉｓ ｋｎｏｗｎ ｔｈａｔ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎ． ｓｉｔｙ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ ｎｏｔｉｃｅａｂｌｙ ｂｙ ｌｏｗｅｒｉｎｇ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｔｈｅ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａ． ｔｕｒｅ ｃｏｕｌｄ ｉｎｄｕｃｅ ｄｅｆｅｃｔｓ ａｎｄ ｐｏｏｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒ． ｔｉｅｓ，ｅｆｆｅｃｔｓ ｗｈｉｃｈ ｗｉｌｌ ｂｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ ｌａｔｅｒ． ３．２ Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ＰＬ ｓｐｅｃｔｒａ ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ～１Ｆ ａｒｅ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．２．Ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ １Ｂ～１Ｆ ａｒｅ ＣＯＶ－ ｅｒｅｄ ｗｉｔｈ ６ｎｍ Ｉｎ０ ２ Ｇａ０ ８Ａｓ，ｂｕｔ ｓａｍｐｌｅ １Ａ ｉｓ ｃａｐｐｅｄ ｂｙ ＧａＡｓ ｄｉｒｅｃｔｌｙ．Ｆｒｏｍ ｔｈｅ ａｂｏｖｅ ｍｏｔ． ｐｈｏｌｏｇｙ ｓｔｕｄｉｅｓ，ｔｈｅ ＱＤ ｓｉｚｅ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ａ ｉｓ ｓｉｍｉ・ ｌａｒ ｔｏ ｓａｍｐｌｅｓ １Ｂ，１Ｃ，１Ｅ，ａｎｄ １Ｆ．Ｂｕｔ ｉｔｓ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｉｓ ｎｏｔｉｃｅａｂｌｙ ｓｈｏｒｔｅｒ ｔｈａｎ ｔｈｅ ｌａｔｔｅｒ ｏｎｅｓ．Ｔｈｉｓ ｍｅａｎｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ＱＤｓ ｅｍｉｔ ａｔ ａ ｌｏｎｇｅｒ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｗｈｅｎ ｔｈｅ Ｉｎ０ ２ Ｇａ０ ８ Ａｓ ｃｏｖｅｒ ｌａｙｅｒ ｐａｒｔｉａｌｌｙ ｒｅｄｕｃｅｓ ｔｈｅ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ ａｎｄ ｌｏｗｅｒｓ ｔｈｅ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｂａｒｒｉｅｒｓ． Ｔｈｅ ｌｏｗ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｓ ｓｕｂｊｅｃｔ ｔｏ ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ ｗｈｅｎ ｅｘｃｉｔｅｄ ｉｎｔｅｎｓｅｌｙ．Ｔｈｕｓ ｔｈｅ 维普资讯 http://www.cqvip.com 第３期 Ｎｉｕ Ｚｈｉｃｈｕａｎ ｅｔ ａ１．：１．３＃ｍ ＩｎＧａＡｓ／ｌｎＡｓ／ＧａＡｓ Ｓｅｌｆ－Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ Ｇｒｏｗｎ…４８５ ＝ 匕 曼 Ｊ 口＿ 一 Ｊ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ／ｎｍ Ｆｉｇ．２ ＰＬ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ，１Ｂ，１Ｃ，ａｎｄ １Ｄ（ａ）， ａｎｄ １Ｅ ａｎｄ １ Ｆ（ｂ）ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｗｉｔｈ ａｎ ｅｘｃｉ－ ｔａｔｉｏｎ ｐｏｗｅｒ ｏｆ １６ｍＷ ｒｅｌａｔｉｖｅ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｐｅａｋ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｆｉｒｓｔ ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ ｉｓ ｉｎｖｅｒｓｅｌｙ ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ ｔｏ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｗｈｅｎ ｅｘｃｉｔｅｄ ｗｉｔｈ ｉｎｔｅｎｓｅ ｌｉｇｈｔ．Ｔｈｉｓ ｉｓ ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔ ｗｉｔｈ ｏｕｒ ｃａｓｅ．Ｆｒｏｍ Ｆｉｇ．２，ｉｔ ｉｓ ｃｌｅａｒ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｒｅｌａｔｉｖｅ ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｆｉｒｓｔ ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ ｄｅｃｒｅａｓｅｓ ａｓ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅｓ １Ａ，１Ｂ，１Ｄ，ａｎｄ １Ｃ．Ｔｈｅ ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｆｉｒｓｔ ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ ｉｓ ｅｖｅｎ ｈｉｇｈｅｒ ｔｈａｎ ｔｈｅ ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅ １Ａ．ｄｕｅ ｔｏ ｉｔｓ ｖｅｒｙ ｌｏｗ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ．Ｆｏｒ ｓａｍｐｌｅ １ Ｃ，ｔｈｅ ｐｅａｋ ｏｆ ｔｈｅ ｆｉｒｓｔ ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ ｉｓ ｈａｒｄ ｔｏ ｒｅｃｏｇｎｉｚｅ ｄｕｅ ｔｏ ｉｔｓ ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ，ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｖｅｒｙ ｆａｖｏｕｒａｂｌｅ ｆｏｒ ｌａ— ｓｅｒ ｄｅｖｉｃｅｓ． Ｆｉｇｕｒｅ ２ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｐｅａｋ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｂ ｉｓ ｍｕｃｈ ｈｉｇｈｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ａ． Ｔｈｉｓ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｅｘｐｌａｉｎｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ＱＤ ｄｅｎ－ ｓｉｔｉｅｓ ａｎｄ ｃｏｖｅｒｉｎｇ ｌａｙｅｒｓ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅｓ． Ｆｏｒ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅ ｗｉｔｈ ａ ｈｉｇｈｅｒ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ，ｍｏｒｅ ＱＤｓ ｃｏｎｔｒｉｂｕｔｅ ｔｏ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｗｈｅｎ ｅｘｃｉｔｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｓａｍｅ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ．Ｉｎ ａｄｄｉｔｉｏｎ，ｔｈｅ Ｉ ｎｏ ２ Ｇａｏ ８ Ａｓ ｃｏｖ－ ｅｒｉｎｇ ｌａｙｅｒ ｃｏｕｌｄ ｒｅｌａｘ ｔｈｅ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ ｏｆ ｔｈｅ ＱＤｓ ｐａｒｔｉａｌｌｙ ａｎｄ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｎｏｎ—ｒａｄｉａｔｉｖｅ ｄｅｆｅｃｔｓ．Ａｓ ａ ｃｏｎｓｅｑｕｅｎｃｅ，ｔｈｅ ｅｍｉｓ— ｓｉｏｎ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｂ ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｓｔｒｏｎｇｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ａ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｔｈｅ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ ｗｉｔｈ ｅｖｅｎ ｈｉｇｈｅｒ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ，ｓｕｃｈ ａｓ １Ｃ， １Ｄ．ａｎｄ １Ｅ，ｉｓ ｌｏｗｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｂ．Ｔｈｉｓ ｃａｎ ｂｅ ｅｘｐｌａｉｎｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｇｒｅａｔｅｒ ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｎｏｎ．．ｒａ．． ｄｉａｔｉｖｅ ｄｅｆｅｃｔｓ ｆｏｒｍｅｄ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ＯＤ ｇｒｏｗｔｈ ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｌａｒｇｅ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅ ｓｔｒｅｓｓ ｉｎｄｕｃｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｈｉｇｈｅｒ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ．Ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｏｆ ｓａｍ— ｐｌｅ １Ｆ ａｒｅ ａｌｍｏｓｔ ｔｈｅ ｓａｍｅ ａｓ ｔｈａｔ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｂ ｅｘｃｅｐｔ ｆｏｒ ｔｈｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ｔｈｅ Ｉ ｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｅｒ ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ．Ｂｕｔ Ｆｉｇｕｒｅ ２（ｂ）ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｉｔｓ ｅｍｉｓ— ｓｉｏｎ ｉｓ ｍｕｃｈ ｓｈｏｒｔｅｒ ｔｈａｎ ｓａｍｐｌｅ １ Ｂ．Ａ ｐｏｓｓｉｂｌｅ ｅｘｐｌａｎａｔｉｏｎ ｆｏｒ ｔｈｉｓ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｃｏｕｌｄ ｎｏｔ ｒｅａｃｈ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｉ ｎＡｓ ｉｎ ｔｈｉｓ ｃａｓｅ．Ｔｈｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ Ｉ ｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｅｒ ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ ａｌｓｏ ａｆｆｅｃｔｓ ｔｈｅ ＰＬ ｐｒｏ—ｐｅｒｔｉｅｓ．Ａｓ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．２（ｂ）， ｓａｍｐｌｅ １Ｅ ｓｈｏｗｓ ａ ｓｌｉｇｈｔ ｂｌｕｅ ｓｈｉｆｔ ｃｏｍｐａｒｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅ １Ｄ ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｌａｒｇｅｒ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ＩｎＡｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｅｒ ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ． Ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ＰＬ ｅｍｉｓ— ｓｉｏｎ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｃ ｗａｓ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｅｘｃｉ— ｔａｔｉｏｎ ｐｏｗｅｒ ｏｆ １６ｍＷ ｆｒｏｍ ８．３ ｔｏ ３００Ｋ，ａｓ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．３．ＴＯ ｂｅｔｔｅｒ ｉｌｌｕｓｔｒａｔｅ ｔｈｅ ＰＬ ｐｒｏｐ— ｅｒｔｉｅｓ，ｗｅ ｐｌｏｔ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｐｅａｋ ｐｏｓｉｔｉｏｎ，ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ，ａｎｄ ＦＷＨＭ ｏｆ ｔｈｅ ｌｏｗ ｅｎｅｒｇｙ ｐｅａｋ ｉｎ Ｆｉｇｓ．３（ｂ）～（ｃ）．Ｕｐ ｔｏ ８０Ｋ， ｔｈｅ ｅｎｅｒｇｙ ｐｅａｋ ｐｏｓｉｔｉｏｎ ｓｈｉｆｔｓ ｔｏ ａ ｌｏｗ ｅｎｅｒｇｙ ｍＯｎＯｔＯｎｉｃａｌｌｖ．Ａｔ ａｂｏｕｔ １００ Ｋ．ａｎ ａｎｏｍａｌｏｕｓ ｄｅ． ｃｒｅａｓｅ ｗａｓ ｏｂｓｅｒｖｅｄ．Ｗｅ ｅｘｐｌａｉｎ ｔｈｉｓ ｂｅｈａｖｉｏｕｒ ａｓ ｂｅｉｎｇ ｃａｕｓｅｄ ｂｙ ａ ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｓｍａｌｌ ｄｏｔｓ ｔｏ ｔｈｅ ｌａｒｇｅｒ ｏｎｅｓ． Ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ＦＷＨＭ ｏｆ ｔｈｅ ｐｅａｋ ｂｅｔｔｅｒ ｉｌｌｕｓｔｒａｔｅｓ ｔｈｉｓ ｂｅｈａｖｉｏｕｒ，ａｓ ｓｈｏｗｎ ｉｎ Ｆｉｇ．３（ｃ）．Ｗｅ ｏｂｓｅｒｖｅ ａｎ ａｎｏｍａｌｏｕｓ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ＦＷＨＭ ａｒｏｕｎｄ １００Ｋ ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃ— ｔｉｖａｔｅｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ． Ｉｎ ｍａｎｙ ｐｒｅｖｉｏｕｓ ｒｅｐｏｒｔｓ・Ｓ—ｔｙｐｅ ｃｕｒｖｅｓ ｗｅｒｅ ｏｂｓｅｒｖｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＰＬ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ～纠．Ｔｈｅ Ｓ—ｔｙｐｅ ｃｕｒｖｅ ａｔ Ｉｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ ｉＳ ｕｓｕａｌｌｙ ｒｅｌａｔｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｃａｒｒｉｅｒ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｉｎｓｉｄｅ ｔｈｅ ＱＤｓ．Ｉｔ ｉｓ ｈａｒｄ ｔｏ ｏｂｓｅｒｖｅ ｔｈｅ Ｓ．ｔｙｐｅ ｃｕｒｖｅ ｉｎ Ｆｉｇ．３．Ｔｈｉｓ ｉｎｄｉｃａｔｅｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｉｎｓｉｄｅ ｔｈｅ ＱＤｓ ｉｎ ｓａｍｐｌｅ １ Ｃ ｉｓ ｌｏｗ，ｒｅｖｅａｌｉｎｇ ａ ｇｏｏｄ ＭＢＥ ｇｒｏｗｔｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ． ３．３ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤ ｅｄｇｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｓｅｒｓ Ｆｒｏｍ ｔｈｅ ａｂｏｖｅ ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ，ｗｅ ｋｎｏｗ．ｔｈａｔ ｓａｍｐｌｅ １Ｃ ｈａｓ ａ ｈｉｇｈ ＱＤ ｄｅｎｓｉｔｙ ａｎｄ ｇｏｏｄ ＰＬ 维普资讯 http://www.cqvip.com ４８６ 半导体学报 第２７卷 芦 扫一兽善一一 国 １ｌｌＪ０Ｚ Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ／ｅＶ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／Ｋ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／Ｋ Ｆｉｇ．３ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＰＬ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｓａｍｐｌｅ １Ｃ ｗｉｔｈ ａｎ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｐｏｗｅｒ ｏｆ １６ｒｏＷ （ａ）Ｎｏｒｍａｌ－ ｉｚｅｄ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ；（ｂ）Ｐｅａｋ ｐｏｓｉｔｉｏｎ；（Ｃ）Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ｉｎ ｔｅｎｓｉｔｙ ａｎｄ ＦＷＨＭ ｏｆ ｔｈｅ ｌｏｗ ｅｎｅｒｇｙ ｐｅａｋ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｆｏｒ ｌａｓｅｒ ｄｅｖｉｃｅｓ．Ａｌｔｈｏｕｇｈ ｔｈｅ ＱＤ ｄｅｎ－ ｓｉｔｙ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ ｔｏ ４．２×１０ ０ ｃｍ～ｆｏｒ ｓａｍ— ｐｉｅ １Ｃ，ｉｔ ｉＳ ｓｔｉｌｌ ｔｏｏ ｌＯＷ ｆｏｒ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤ ｌａｓｅｒｓ ｔｏ ｌａｓｅ ａｔ ｔｈｅ ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ．Ｗｅ ｏｖｅｒｃｏｍｅ ｔｈｉｓ ｐｒｏｂ－ ｌｅｍ ｂｙ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ＱＤｓ ｕｓｉｎｇ ｍｕｌｔｉ．１ａｙｅｒ ＱＤ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ．Ｆｉｖｅ ｌａｙｅｒｓ ｏｆ ＩｎＡｓ ｏＤｓ ｗｅｒｅ ｇｒｏｗｎ ｗｉｔｈ ５０ｎｍ ＧａＡｓ ｌａｙｅｒｓ ａｓ ｂａｒｒｉｅｒｓ．Ｔｈｅ ＧａＡｓ ｂａｒｒｉｅｒｓ ａｒｅ ｔｈｉｃｋ ｅｎｏｕｇｈ ｔｏ ｄｅｃｏｕｐｌｅ ｔｈｅ ｎｅｉｇｈｂｏｕｒｉｎｇ ＱＤ ｌａｙｅｒｓ．Ｔｈｅ ｂａｒｒｉｅｒｓ ｗｅｒｅ ａｎｎｅａｌｅｄ ｄｕｒｉｎｇ ｇｒｏｗｔｈ ｔｏ ｅｌｉｍｉｎａｔｅ ｎｏｎ，－ｒａ—． ｄｉａｔｉｖｅ ｄｅｆｅｃｔｓ． Ｆｉｇｕｒｅ ４（ａ）ｓｈｏｗｓ ｔｈｅ ｌａｓｅｒ ｓｐｅｃｔｒｕｍ ｏｆ ａｎ ＩｎＡｓ ＱＤ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ ａ ３ｍｍ－ｌｏｎｇ ｃａｖｉｔｙ ｉｎ ｃｏｎｔｉｎｕ— ＯＵＳ ｗａｖｅ ｍｏｄｅ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｔｈｅ ｌａｓｉｎｇ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｉＳ １．３３ｔ￣ｍ，ｃｏｎｆｉｒｍｉｎｇ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅ ｌａｓｅｓ ａｔ ｔｈｅ ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ．Ｏｕｒ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｉＳ ｃｏｍ． ｐａｒａｂｌｅ ｔｏ ｔｈｅ ｂｅｓｔ ｒｅｐｏｒｔｅｄ ＲＴ ＣＷ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌａｓｅｒ ａｔ １．３３ ｕｍ ｗｉｔｈ ａ ｍｕｃｈ ｌｏｗｅｒ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｃｕｒ． ｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ １９Ａ／ｃｍ０［２ｌ＿．Ｆｉｇｕｒｅ ４（ｂ）ｓｈｏｗｓ ｔｈｅ ｌｉｇｈｔ ｏｕｔｐｕｔ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ａｎｄ ｂｉａｓ ｖｏｌｔａｇｅ ｖｅｒｓｕｓ ｃｕｒｒｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ ｌａｓｅｒ．Ｔｈｅ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ａｎｄ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ ａｒｅ ａｂｏｕｔ ｌ５０ ｍＡ ａｎｄ ２５０Ａ／ｃｍ ．ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ｅｘｔｅｒｎａｌ ｄｉｆ－ ｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ，仇ｘＩ，ｃａｎ ｂｅ ｅｘｔｒａｃｔｅｄ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｓｌｏｐｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｌ－Ｉ ｃｕｒｖｅ．Ｔｈｅ ｖａｌｕｅ ｉＳ ａ－ ｂｏｕｔ ２１．６％．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ＞Ｑ量、ｉｎｄｉ ｃａｔｅ ｔ事 ｈａｔ ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ ｍｕｌｔｉ．．１ａｙｅｒ ｏｆ ＯＤｓ ｓｅｐａｒａｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ａｎ．． ｎｅａｌｅｄ ＧａＡｓ ｓｐａｃｅｒ ｌａｙｅｒｓ ｐｒｅｖｅｎｔｓ ｇａｉｎ ｓａｔｕｒａ－ ｔｉｏｎ，ａｌｌｏｗｉｎｇ ＵＳ ｔｏ ａｃｈｉｅｖｅ ａ ｌｏｎｇ－ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｌａ－ ｓｅｒ ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ａｔ ｔｈｅ ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ． 之 彗 享王 Ｑ事 ＿ 曼 ∞ ．． １’； Ｃｕｒｒｅｎｔ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ／Ａ Ｆｉｇ．４ （ａ）Ｌａｓｅｒ ｓｐｅｃｔｒｕｍ ｏｆ ａ ３ｍｍ—ｃａｖｉｔｙ—ｌｅｎｇｔｈ ＩｎＡｓ ＱＤ ｌａｓｅｒ ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ｉｎ Ｃ Ｗ ｍｏｄｅ ｍｅａｓｕｒｅｄ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：（ｂ）Ｌｉｇｈｔ ｏｕｔｐｕｔ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ａｎｄ ｂｉａｓ ｖｏｌｔａｇｅ ｖｅｒｓｕｓ ｃｕｒｒｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ ｌａｓｅｒｓ ４ Ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎ Ｗｅ ｈａｖｅ ｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙ ｇｒｏｗｎ ｍｕｌｔｉ－－ｌａｙｅｒ Ｉｎ－－ ＧａＡｓ／ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌａ— ｓｅｒ ｄｉｏｄｅｓ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ａｔ １．３ｔｚｍ．Ｔｈｅ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｓｕｒｆａｃｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ＩｎＡｓ ＱＤｓ ｃａｎ ｂｅ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ＭＢＥ ｇｒｏｗｔｈ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ．Ｔｈｅ ＱＤ ｌａｙｅｒ， 维普资讯 http://www.cqvip.com 第３期 Ｎｉｕ Ｚｈｉｃｈｕａｎ ｅｔ ａ１．：１．３“ｍ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ Ｓｅｌｆ－Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ Ｇｒｏｗｎ…４８７ ｗｉｔｈ ａ ｓｕｒｆａｃｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ａｒｏｕｎｄ（３～４）ｘ １０ ｃｍ～，ｓｈｏｗｓ ｇｏｏｄ ＰＬ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ．Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ Ｏｆ ＱＤ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ ｏｎ ＰＬ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｒｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ； ｎｏ Ｓ—ｔｙｐｅ ｃｕｒｖｅ ａｐｐｅａｒｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｅ－ ｐｅｎｄｅｎｔ ＰＬ ｓｐｅｃｔｒａ（ｆｒｏｍ ８．３ ｔｏ ３００Ｋ），ｉｎｄｉｃａ． ｔｉｎｇ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｉｎ． ｓｉｄｅ ｔｈｅ ＱＤｓ ｉｓ ｌｏｗ．Ｔｈｅ ｅｄｇｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｓｅｒｓ ｃｏｎｔａｉ． ｎｉｎｇ ５ ｌａｙｅｒｓ ｏｆ ＱＤｓ ａｎｄ ｌａｓｉｎｇ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｎ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｍｏｄｅ ａｒｅ ａｃｈｉｅｖｅｄ． Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ ［１］ Ｑｉｕ Ｙ，Ｇｏｇｎａ Ｐ，Ｆｏｒｏｕｈａｒ Ｓ．Ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ＩｎＡｓ ｑｕａｎ－ ｔｕｍ－ｄｏｔ ｌａｓｅｒｓ ｎｅａｒ １．３ｕｍ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２００１，７９：３５７０ ［２］ Ｗａｎｇ Ｘ Ｄ，Ｎｉｕ Ｚ Ｃ・Ｆｅｎｇ Ｓ Ｌ・ｅｔ ａ１．Ｐａｓｓｉｖｅ ｍｏｄｅ－ｌｏｃｋｉｎｇ ｉｎ １．３ｕｍ ｔｗｏ－ｓｅｃｔｉｏｎ ＩｎＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌａｓｅｒｓ．Ｊ Ｃｒｙｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ，２００１，２２３：３６３ ［３］ Ｎｉｕ Ｚ Ｃ。Ｗａｎｇ Ｘ Ｄ。Ｍｉａｏ Ｚ。ｅｔ ａ１．Ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｏｆ ｓｅｌｆ．ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｃｏｖｅｒｅｄ ｂｖ ＩｎＧａＡｓ ｌａｙｅｒ．Ｊ Ｃｒｙｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ，２００１，２２７：１０６２ ［４］ Ｇｏｎｇ Ｚ，Ｆａｎｇ Ｚ Ｄ，Ｘｕ Ｘ Ｈ・ｅｔ ａ１．Ｒｏｌｅ ｏｆ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｃａｐ ｌａｙ－ ｅｒｓ ｔｕｎｉｎｇ ｔｈｅ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｏｆ ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ．Ｊ Ｐｈｙｓ：Ｃｏｎｄｅｎｓ Ｍａｔｔｅｒ，２００３，１５：５３８３ ［５］ Ｆａｎｇ Ｚ Ｄ，Ｇｏｎｇ Ｚ，Ｍｉａｏ Ｚ Ｈ，ｅｔ ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｔｈｅ ＩｎＡｌＡｓ ａｎｄ ＩｎＧａＡｓ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ ｓｔｒａｉｎ．ｒｅｄｕｃｉｎｇ ｌａｙｅｒ ｏｎ １．３ｕｍ ｅ． ｍｉｓｓｉｏｎ ｓｅｌｆ．ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ．Ｊ Ｐｈｙｓ Ｄ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，２００４，３７：１０１２ ［６］ Ｍａ Ｂ Ｓ，Ｗａｎｇ Ｘ Ｄ，Ｓｕ Ｆ Ｕ，ｅｔ ａ１．Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｆｒｏｍ ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｌｏｎｇ－ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｕｎｄｅｒ ｐｒｅｓｓｕｒｅ．Ｊ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，２００４，９５：９３３ ［７］ Ｎｉｕ Ｚｈｉｃｈｕａｎ，Ｈａｎ Ｑｉｎ，Ｎｉ Ｈａｉｑｉａｏ，ｅｔ ａ１．Ｍａｔｅｒｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ ｄｅｖｉｃｅ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ＧａＡｓ ｂａｓｅｄ １．３ｕｍ ＧａＩｎＮＡｓ ｑｕａｎ－ ｔｕｍ ｗｅｌｌ ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅｓ．Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ， ２００５。２６（１９）：１８６０ ［８］ Ｓａｆａｒ Ｇ Ａ Ｍ。Ｒｏｄｒｉｇｕｅｓ Ｗ Ｎ，Ｃｕｒｙ Ｌ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ Ｔｅ ａｓ ａ ｓｕｒｆａｃｔａｎｔ ｏｎ ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＩｎＡｓ ｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍ－ ｂｌｅｄ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，１９９７，７１：５２１ ［９］ Ｂｒｕｓａｆｅｒｒｉ Ｌ，Ｓａｎｇｕｉｎｅｔｔｉ Ｓ，Ｇｒｉｌｌｊ Ｅ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａ－ ｔｅｄ ｃａｒｒｉｅｒ ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｎｄ ｌｕｍｉｎｅｓｅｅｎｅｅ ｌｉｎｅｓｈａｐｅ ｉｎ ｓｅｌｆ．ｏｒｇａｎ－ ｉｚｅｄ ＩｎＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ。１９９６，６９：３３５４ Ｅｌ０］ Ｍｕｋａｉ Ｋ．Ｏｈｔｓｕｋａ Ｎ，Ｓｕｇｕｗａｒａ Ｍ．ｅｔ ａ１．Ｓｅｌｆ．ｆｏｒｍｅｄ ＩｎＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｏｎ ＧａＡｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ａｔ １．３ｕｍ．Ｊｐｎ Ｊ Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ，１９９４，３３：Ｌ１７１０ ［１１］ Ｕｓｔｉｎｏｖ Ｖ Ｍ，Ｚｈｕｋｏｖ Ａ Ｅ，Ｍａｌｅｅｖ Ｎ Ａ，ｅｔ ａ１．１ ３ｕｍ ＩｎＡｓ／ ＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌａｓｅｒｓ ａｎｄ ＶＣＳＥＬｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ．Ｊ Ｃｒｙｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ，２００１，２２７／２２８：１１５５ ［１２３ Ｔａｔｅｂａｙａｓｈｉ Ｊ，Ｈａｔｏｒｉ Ｎ，Ｉｓｈｉｄａ Ｍ，ｅｔ ａ１．１．２８ｕｍ ｌａｓｉｎｇ ｆｒｏｍ ｓｔａｃｋｅｄ ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｗｉｔｈ ｌｏｗ．ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ． ｇｒｏｗｎ ＡＩＧａＡｓ ｃｌａｄｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ ｂｙ ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａ－ ｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２００５，８６：０５３１０７ ［１３］ Ｎｕｎｔａｗｏｎｇ Ｎ，Ｘｉｎ Ｙ Ｃ，Ｂｉｒｕｄａｖｏｌｕ Ｓ，ｅｔ ａ１．Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌａ－ ｓｅｒｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ａ ｓｔａｃｋｅｄ ａｎｄ ｓｔｒａｉｎ．ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ａｃｔｉｖｅ ｒｅｇｉｏｎ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２００５，８６：１９３１１５ ［１４］ Ｔａｂｅｂａｙａｓｈｉ Ｊ．Ａｒａｋａｗａ Ｙ．Ｈａｔｏｒｉ Ｎ，ｅｔ ａ１．ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ ｓｅｌｆ． ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｑｕａｎｔｕｍ－－ｄｏｔ ｌａｓｅｒｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉ－－ ｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ－ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｐｏｓｔｇｒｏｗｔｈ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｎ ｓｔａｃｋｅｄ ＩｎＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２００４，８５：１０２４ ［１５］ Ｌｉｕ Ｈ Ｙ，Ｓｅｌｌｅｒｓ Ｉ Ｒ，Ｇｕｔｉｅｒｒｅｚ Ｍ，ｅｔ ａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｐａｃｅｒ ｌａｙｅｒ ｇｒｏｗｔｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｎ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２００４，９６：１９８８ ［１６］ Ｐａｒｋ Ｇ，ＳＨｃｈｅｋｉｎ Ｏ Ｂ，Ｈｕｆｆａｋｅｒ Ｄ Ｌ，ｅｔ ａ１．Ｌｏｗ．ｔｈ ｒｅｓｈｏｌｄ ｏｘｉｄｅ．ｃｏｎｆｉｎｅｄ １．３ｕｍ ｑｕａｎｔｕｍ．ｄｏｔ ｌａｓｅｒ．ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌ Ｌｅｔｔ，２０００，１２：２２７ ［１７］ Ｍｉｒｉｎ Ｒ Ｐ。Ｉｂｂｅｔｓｏｎ Ｊ Ｐ，Ｎｉｓｈｉ Ｋ，ｅｔ ａ１．１．３ｕｍ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓ－ ｃｅｎｃｅ ｆｒｏｍ ＩｎＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｏｎ ＧａＡｓ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ， １９９５。６７：３７９５ ［１８］ Ｅｌｉｓｅｅｖ Ｐ Ｇ。Ｓｔｉｎｔｚ Ｈ。Ｌｉ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｄｉｐｏｌｅ ｍｏｍｅｎｔ ｏｆ ｌｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｆｒｏｍ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ ｏｎ ｕｌ－ ｔｒａｌｏｗ．ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅｓ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ，２０００，７７：２６２ ［１９］ Ｌｅｏｎａｒｄ Ｄ。Ｐｏｎｄ Ｋ，Ｐｅｔｒｏｆｆ Ｐ Ｍ．Ｃ ｒｊｔｉｃａｌ ｌａｙｅｒ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｆｏｒ ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ＩｎＡｓ ｉｓｌａｎｄｓ ｏｎ ＧａＡｓ Ｐｈｙｓ Ｒｅｖ Ｂ．１９９４，５Ｏ： １１６８７ ［２Ｏ］ Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｎ Ｐ．Ｒａｍａｃｈａｎｄｒａｎ Ｔ Ｒ，Ｃｈｅｎ Ｐ，ｅｔ ａ１．Ｉｎ－ｓｉｔｕ，ａ・ ｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｓｔｕｄｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ＩｎＡｓ ｔｈｒｅｅ．ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｉｓｌａｎｄｓ ｏｎ ＧａＡｓ（００１）．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ。 １９９６，６８：３２９９ ［２１］ Ｍａｌａｃｈｉａｓ Ａ，Ｎｅｖｅｓ Ｂ Ｒ Ａ，Ｒｏｄｒｉｇｕｅｓ Ｗ Ｎ，ｅｔ ａ１．Ｘ－ｒａｙ ｓｃａｔ－ ｔｅｒｉｎｇ ｆｒｏｍ ｓｅｌｆ．ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ＩｎＡｓ ｉｓｌａｎｄｓ．Ｂｒａｚｉｌｉａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００４，３４（２Ｂ）：５７１ Ｆ２２］ Ｌｕｂｙｓｈｅｖ Ｄ Ｉ．Ｇｏｎｚａｌｅｚ．Ｂｏｒｒｅｒｏ Ｐ Ｐ。Ｍａｒｃｇａ Ｅ，ｅｔ ａ１．Ｅｘｃｉ－ ｔａｔｉｏｎ ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ａｎｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｉｎ ｓｅｌｆ－ｏｒｇａｎｉｚｅｄ ＩｎＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ・１９９６，６８：２０５ ［２３］ Ｋｉｓｓｅｌ Ｈ．Ｍｕｌｌｅｒ Ｕ。Ｗａｌｔｈｅｒ Ｃ，ｅｔ ａ１．Ｓｉｚｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｉｎ ｓｅｌｆ－ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ＩｎＡｓ ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ ｏｎ ＧａＡｓ（００１）ｆｏｒ ｉｎｔｅｒｍｅｄｉ－ ａｔｅ ＩｎＡｓ ｃｏｖｅｒａｇｅ．Ｐｈｙｓ Ｒｅｖ Ｂ，２０００，６２：７２１３ 维普资讯 http://www.cqvip.com ４８８ 半导体学报 第２７卷 １．３ｐＬｍ自组织ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点激光器分子束外延生长 牛智川 倪海桥 方志丹 龚 政 张石勇 吴东海 孙 征 赵 欢 彭红玲 韩 勤 吴荣汉 （中国科学院半导体研究所，北京 １０００８３） 摘要：报道了分子束外延生长的１．３ ｍ多层ＩｎＧａＡｓ／ｌｎＡｓ／Ｇ｜ｄＡｓ自组织量子点及其室温连续激射激光器．室温 带边发射峰的半高宽小于３５ｍｅＶ，表明量子点大小比较均匀．原子力显微镜图像显示，量子点密度可以控制在（１～ ７）×１０ ｃｍ 范围之内，而面密度处于４×１０ ｃｍ 时有良好的光致发光谱性能．含有三到五层１．３ ｍ量子点的 激光器成功实现了室温连续激射． 关键词：量子点；砷化铟；激光器 ＰＡＣＣ：７３２０Ｄ；７２８０Ｅ；７８２０ 中图分类号：ＴＮ３０４．０５４ 文献标识码：Ａ 文章编号：０２５３—４１７７（２００６）０３—０４８２—０７ ＊国家自然科学基金，国家高技术发展研究计划及国家再点基础研究发展计划资助项ｆ＝１ 十通信作者Ｅｍａｉｌ；ｚｃｎｉｕ＠ｒｅｄ．ｓｅｍｉ．ｔｉｃ．ｃｒｌ ２００５—１０－３１收到．２００５－１２－０９定稿 ＠２００６中同电子学会